02.12.2021 г. – 03.12.2021 г. состоится научная конференция с международным участием «Нейроморфные оптические системы» в рамках выполнения «Соглашения № 075-15-2021-917 о предоставлении из федерального бюджета грантов в форме субсидии» по проекту «Нейроморфные оптические системы на базе фазоизменяемых материалов» под руководством ведущего ученого проф. Е.А. Бычкова (Мегагрант).
Место проведения: ИПЛИТ РАН – филиал ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН (Московской область, г. Шатура, ул. Святоозерская д. 1).
Формат участия: смешанный очно-дистанционный
Ссылка для подключения Zoom Идентификатор конференции: 698 140 7233 Код доступа: 5mqh4F
Программа конференции «Нейроморфные оптические системы»
Конференция транслировалась в Zoom и на канале ИПЛИТ РАН в Youtube
02.12.2021 Пленарные доклады, председатель секции проф. Е.А. Бычков
№ | Тема доклада | Докладчик |
1 | «Нейро- и нейроморфные вычислители, их программная поддержка и пути внедрения в Российской Федерации» | Тельминов О. А., начальник лаборатории АО НИИМЭ, к.т.н. |
2 | «Фазоизменяемые материалы следующего поколения» | проф. Е.А. Бычков |
3 | «First-principle moleculars dynamics of disordered chalcogenides» | prof. Micoulaut Mathieu, Sorbonne University, Paris, France |
02.12.2021 Секция «Нейроморфные оптические системы», председатель секции Е.А. Бычков
№ | Тема доклада | Докладчик |
1 | «Нейроморфный интеллект: от физических компонент к приобретению ценностей» | к.ф.-м.н. В.А. Демин, НИЦ «Курчатовский институт» (приглашённый) |
2 | «Оптический синапс на основе фазоизменяемых материалов как элемент нейроморфной системы» | к.ф.-м.н. А.А. Лотин, ИПЛИТ РАН |
3 | «Новые халькогениды для нейроморфных применений: ab initio молекулярная динамика» | к.ф.-м.н. М.Д. Хоменко, ИПЛИТ РАН |
4 | «Cверхбыстрая модуляция физических свойств тонких пленок теллуридов для нейроморфных приложений» | А.В. Киселев, ИПЛИТ РАН |
5 | «Оптические характеристики тонких пленок фазоизменяемых материалов GeTe и GST» | Е.М. Притоцкий, ИПЛИТ РАН |
6 | ||
7 | ||
8 | ||
03.12.2021, Секция «Нейроморфные системы на основе мемристоров»,
председатель секции к.ф.-м.н. А.А. Лотин
№ | Тема доклада | Докладчик |
1 | «Фотомемристивные нейроморфные системы на основе низкоразмерных кристаллов» | к.ф.-м.н. Геннадий Николаевич Панин, ИПТМ РАН |
2 | «Элементы резистивной памяти на основе оксидов металлов для нейроморфных систем: проблемы и решения» | к.ф.-м.н. Сергей Викторович Ковешников, ИПТМ РАН |
3 | «Массивы органических и неорганических мемристоров для нейроморфных приложений» | к.ф.-м.н. Андрей Вячеславович Емельянов, НИЦ «Курчатовский институт» |
4 | «Мемристоры на основе переходных металлов для нейроморфных систем» | д.ф.-м.н. Олег Алексеевич Новодворский, ИПЛИТ РАН |
5 | «Свойства перколяционных каналов в планарных мемристивных структурах на основе эпитаксиальных пленок оксидных перовскитных соединений YB2C3O7-y и La1-xSrxMnO3-y» | Иван Юрьевич Борисенко, ИПТМ РАН |
6 | «Мемристивные структуры на основе флейков селенида висмута» | Александр Владимирович Зотов, ИПТМ РАН |
7 | «Генерация серии переключений мемристора методами машинного обучения на основе компактных адаптивных моделей» | Евгений Сергеевич Шамин, МФТИ |
8 | «Разработка и исследование комбинированных методов экстракции параметров моделей из вольт-амперных характеристик мемристора» | Федор Павлович Мещанинов, НИИМЭ |
9 | «Исследование механизма переноса заряда в бесформовочном мемристоре на основе нитрида кремния» | Федор Павлович Мещанинов, НИИМЭ |