В соответствии с Федеральным законом от 29 декабря 2012 года № 273-ФЗ «Об образовании в Российской Федерации» аспирантура является третьим уровнем высшего образования (ВО) для подготовки научно-педагогических и научных кадров высшей квалификации с целью проведения научных исследований, подготовки и защиты диссертации на соискание ученой степени кандидата наук, сдачи кандидатских экзаменов.
В аспирантуре ИПЛИТ РАН — филиала ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН осуществляется подготовка аспирантов по следующим направлениям и научным специальностям:
|
Коды направлений подготовки |
Наименования укрупненных групп направлений подготовки. Наименования направлений подготовки |
Шифр |
Область науки, группа научных специальностей, научная специальность |
|---|---|---|---|
|
03.06.01 |
Физика и астрономия |
1.3 |
Физические науки |
|
1.3.19 |
Лазерная физика |
||
|
11.06.01 |
Электроника, радиотехника и системы связи |
2.2 |
Электроника, фотоника, приборостроение и связь |
|
2.2.2 |
Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств |
Подготовка аспирантов осуществляется ведущими специалистами Центра.
Срок обучения в очной аспирантуре – четыре года, заочной – пять лет.
Иногородним аспирантам предоставляется общежитие.
Количество мест в общежитии на 2022 год – 1 (может быть увеличено при необходимости).
Лицензия
Выписка из реестра лицензий Рособрнадзора от 12 июля 2022 года
Свидетельство о государственной аккредитации
Сроки приема документов и проведения вступительных испытаний:
Сроки приема документов: 8 августа – 25 августа
Сроки проведения экзаменов: 1 сентября – 27 сентября
Подлинник диплома необходимо представить не позднее: 28 сентября
Зачисление и начало обучения: 1 октября
Даты и время проведения вступительных испытаний определяются расписанием.
К освоению программ подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре допускаются лица, имеющие образование не ниже высшего — специалитет или магистратура. Прием на обучение осуществляется на первый курс.
ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН осуществляет прием по следующим условиям поступления на обучение (далее — условия поступления) с проведением отдельного конкурса по каждой совокупности этих условий:
— по ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН в целом;
— по очной форме обучения;
— раздельно по группам научных специальностей с проведением отдельного конкурса по каждой научной специальности:
Физические науки
1.3.8 Физика конденсированного состояния
1.3.19 Лазерная физика
1.3.20 Кристаллография, физика кристаллов
Химические науки
1.4.3 Органическая химия
1.4.4 Физическая химия
Электроника, фотоника, приборостроение и связь
2.2.2 Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
Прием на обучение осуществляется по заявлению о приеме, которое подается поступающим с приложением необходимых документов.
Поступающие в аспирантуру сдают следующие вступительные испытания со следующей приоритетностью:
1. Специальную дисциплину, являющуюся приоритетным вступительным испытанием.
Программы вступительных экзаменов:
— физика конденсированного состояния
— кристаллография, физика кристаллов
— органическая химия
— физическая химия
— электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
2. Иностранный язык.
Вступительные испытания проводятся в устной форме по билетам. Каждое вступительное испытание оценивается по пятибалльной шкале. Минимальное количество баллов, подтверждающее успешное прохождение вступительного испытания (далее — минимальное количество баллов) – 3 балла. При выставлении оценки суммируются баллы, полученные при оценке всех видов испытаний. Минимальное количество баллов, подтверждающее прохождение устного вступительного испытания – 3 балла. Минимальная сумма баллов для участия в конкурсе на бюджет и представления к зачислению – 6 баллов. Вступительные испытания по специальным дисциплинам, организуемые ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН, проводятся на русском языке.
Особенности проведения вступительных испытаний для поступающих инвалидов
Поступающие на обучение в аспирантуру ИПЛИТ РАН – филиала ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН вправе представить сведения о своих индивидуальных достижениях, результаты которых учитываются при приеме на обучение. Учет индивидуальных достижений осуществляется посредством начисления баллов за индивидуальные достижения и в качестве преимущества при равенстве критериев ранжирования списков поступающих.
Баллы, начисленные за индивидуальные достижения (см. таблицу), включаются в сумму конкурсных баллов.
Поступающий представляет документы, подтверждающие получение индивидуальных достижений.
|
№ п/п |
Вид достижения |
Подтверждающие документы |
Количество баллов |
|---|---|---|---|
|
1 |
Победитель научно-практической конференции (очное участие): — всероссийской — международной |
Диплом победителя или призера |
1 |
|
2 |
Наличие научных публикаций в изданиях: — всероссийских, международных — включенных в перечень ВАК, международных, включенных в Web of Sciencе, Scopus |
Титульный лист, оглавление, текст публикации |
1 2 |
|
3 |
Наличие свидетельств о регистрации авторских прав на объект интеллектуальной деятельности |
Свидетельства о государственной регистрации авторского права |
3 |
|
4 |
Наличие диплома с отличием (магистра, специалиста) в соответствии с направлением подготовки аспирантуры |
Диплом с отличием |
1 |
Прием на обучение по программам аспирантуры осуществляется по результатам вступительных испытаний.
Общие правила подачи и рассмотрения апелляций по результатам вступительных испытаний.
При подаче заявления о приеме поступающий представляет:
- документ (документы), удостоверяющий личность, гражданство (в том числе может представить паспорт гражданина Российской Федерации, удостоверяющий личность гражданина Российской Федерации за пределами территории Российской Федерации);
- — документ об образовании и о квалификации установленного федеральным органом исполнительной власти, осуществляющим функции по выработке государственной политики и нормативно-правовому регулированию в сфере образования, или федеральным органом исполнительной власти, осуществляющим функции по выработке государственной политики и нормативно-правовому регулированию в сфере здравоохранения, или федеральным органом исполнительной власти, осуществляющим функции по выработке государственной политики и нормативно-правовому регулированию в сфере культуры, образца;
— документ государственного образца об уровне образования и о квалификации, полученный до 1 января 2014 г.;
— документ об образовании и о квалификации образца, установленного федеральным государственным бюджетным образовательным учреждением высшего профессионального образования «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова» (далее — Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова) и федеральным государственным бюджетным образовательным учреждением высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный университет» (далее — Санкт-Петербургский государственный университет), или документ об образовании и о квалификации образца, установленного по решению коллегиального органа управления образовательной организации, если указанный документ выдан лицу, успешно прошедшему государственную итоговую аттестацию;
— документ об образовании и о квалификации, выданный частной организацией, осуществляющей образовательную деятельность на территории инновационного центра «Сколково», или предусмотренными частью 3 статьи 21 Федерального закона от 29 июля 2017 года № 216-ФЗ «Об инновационных научно-технологических центрах и о внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» (Собрание законодательства Российской Федерации, 2017, № 31, ст. 4765) организациями, осуществляющими образовательную деятельность на территории инновационного научно-технологического центра;
— документ (документы) иностранного государства об образовании и о квалификации, если указанное в нем образование признается в Российской Федерации на уровне соответствующего высшего образования (не ниже специалитета).
Поступающий может представить один или несколько документов установленного образца. Свидетельство о признании иностранного образования (при необходимости) представляется в те же сроки, что и документ установленного образца; - документ, подтверждающий регистрацию в системе индивидуального (персонифицированного) учета (при наличии);
- при необходимости создания для поступающего специальных условий, документ, подтверждающий инвалидность, в связи с наличием которой необходимо создание указанных условий (указанный документ принимается организацией, если он действителен на день подачи заявления о приеме), а также заключение федерального учреждения медико-социальной экспертизы об отсутствии противопоказаний для прохождения обучения в аспирантуре ИПЛИТ РАН – филиала ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН;
- документы, подтверждающие индивидуальные достижения поступающего, результаты которых учитываются при приеме на обучение (представляются по усмотрению поступающего);
- иные документы (представляются по усмотрению поступающего);
- две фотографии 3х4.
Документы, необходимые для поступления, представляются (направляются) поступающим в ИПЛИТ РАН – филиал ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН одним из следующих способов:
- предоставляются в организацию лично поступающим по адресу: 140700, Московская область, г. Шатура, ул. Святоозерская, дом 1, адрес электронной почты lrnov@mail.ru.
- направляются через операторов почтовой связи общего пользования по указанному адресу (поступающий должен уведомить Приемную комиссию об отправке документов по электронной почте lrnov@mail.ru);
- направляются в электронной форме посредством электронной информационной системы ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН на адрес электронный почты lrnov@mail.ru.
Документы, направленные по почте, принимаются ИПЛИТ РАН – филиалом ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН при их поступлении не позднее сроков завершения приема документов, установленных настоящими Правилами.
Контрольные цифры приема за счет средств Федерального бюджета на 2023/2024 учебный год:
|
Коды направлений подготовки |
Наименования укрупненных групп направлений подготовки. Наименования направлений подготовки |
Контрольные цифры приема |
Шифр |
Область науки, группа научных специальностей, научная специальность |
|---|---|---|---|---|
|
03.06.01 |
Физика и астрономия |
1 |
1.3 |
Физические науки |
|
1.3.19 |
Лазерная физика |
|||
|
11.06.01 |
Электроника, радиотехника и системы связи |
3 |
2.2 |
Электроника, фотоника, приборостроение и связь |
|
2.2.2 |
Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств |
Распределение мест для приема в аспирантуру ИПЛИТ РАН – филиала ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН за счет бюджетных ассигнований федерального бюджета в 2023 году. Очная форма обучения. Приказ Министерства науки и высшего образования Российской Федерации от 24 августа 2021 года № 786 «Об установлении соответствия направлений подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре (адъюнктуре) научным специальностям, предусмотренным номенклатурой научных специальностей, по которым присуждаются ученые степени, утвержденной приказом Министерства науки и высшего образования Российской Федерации от 24 февраля 2021 года № 118».
|
Коды направлений подготовки |
Наименования укрупненных групп направлений подготовки. Наименования направлений подготовки |
Шифр |
Область науки, группа научных специальностей, научная специальность |
Отрасли науки, по которым присуждаются ученые степени |
Распределение бюджетных мест |
Квота на целевое обучение |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
03.06.01 |
Физика и астрономия |
1. |
ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ |
|||
|
1.3 |
Физические науки |
|||||
|
1.3.19 |
Лазерная физика |
Физико-математические |
1 |
0 |
||
|
11.06.01 |
Электроника, радиотехника и системы связи |
2. |
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ |
|||
|
2.2 |
Электроника, фотоника, приборостроение и связь |
|||||
|
2.2.2 |
Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств |
Физико-математические |
3 |
0 |
||
Программы вступительных испытаний для поступающих на обучение по программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре:
1.3 Физические науки. Научная специальность 1.3.19. Лазерная физика
2.2 Электроника, фотоника, приборостроение и связь. Научная специальность 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
Контакты:
Новикова Лариса Викторовна, ведущий инженер
тел.: +7 (49645) 22200 (доб. 121)
e-mail: lrnov@mail.ru
С более подробной информацией об аспирантуре ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН можно ознакомиться на сайте: