Конференция «Нейроморфные оптические системы» 2-3.12.2021 г., Шатура

02.12.2021 г. – 03.12.2021 г. состоится научная конференция с международным участием «Нейроморфные оптические системы» в рамках выполнения «Соглашения № 075-15-2021-917 о предоставлении из федерального бюджета грантов в форме субсидии» по проекту «Нейроморфные оптические системы на базе фазоизменяемых материалов» под руководством ведущего ученого проф. Е.А. Бычкова (Мегагрант).
Место проведения: ИПЛИТ РАН – филиал ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН (Московской область, г. Шатура, ул. Святоозерская д. 1).
Формат участия: смешанный очно-дистанционный

Ссылка для подключения Zoom
Идентификатор конференции: 698 140 7233 Код доступа: 5mqh4F

Программа конференции «Нейроморфные оптические системы»

Программный комитет

Организационный комитет

Конференция транслировалась в Zoom и на канале ИПЛИТ РАН в Youtube

Приветственное слово академика Владислава Яковлевича Панченко. Немного об истории научных конференций ILLA

02.12.2021 Пленарные доклады, председатель секции проф. Е.А. Бычков

Тема докладаДокладчик
1«Нейро- и нейроморфные вычислители, их программная поддержка и пути внедрения в Российской Федерации»Тельминов О. А., начальник лаборатории АО НИИМЭ, к.т.н.
2«Фазоизменяемые материалы следующего поколения»проф. Е.А. Бычков
3«First-principle moleculars dynamics of disordered chalcogenides»prof. Micoulaut Mathieu, Sorbonne University, Paris, France

02.12.2021 Секция «Нейроморфные оптические системы», председатель секции Е.А. Бычков

Тема докладаДокладчик
1«Нейроморфный интеллект: от физических компонент к приобретению ценностей»к.ф.-м.н. В.А. Демин, НИЦ «Курчатовский институт» (приглашённый)
2«Оптический синапс на основе фазоизменяемых материалов как элемент нейроморфной системы»к.ф.-м.н. А.А. Лотин, ИПЛИТ РАН
3«Новые халькогениды для нейроморфных применений: ab initio молекулярная динамика»к.ф.-м.н. М.Д. Хоменко, ИПЛИТ РАН
4«Cверхбыстрая модуляция физических свойств тонких пленок теллуридов для нейроморфных приложений»А.В. Киселев, ИПЛИТ РАН
5«Оптические характеристики тонких пленок фазоизменяемых материалов GeTe и GST»Е.М. Притоцкий, ИПЛИТ РАН
6
7
8

03.12.2021, Секция «Нейроморфные системы на основе мемристоров»,
председатель секции к.ф.-м.н. А.А. Лотин

Тема докладаДокладчик
1«Фотомемристивные нейроморфные системы на основе низкоразмерных кристаллов»к.ф.-м.н. Геннадий Николаевич Панин, ИПТМ РАН
2«Элементы резистивной памяти на основе оксидов металлов для нейроморфных систем: проблемы и решения»к.ф.-м.н. Сергей Викторович Ковешников, ИПТМ РАН
3«Массивы органических и неорганических мемристоров для нейроморфных приложений»к.ф.-м.н. Андрей Вячеславович Емельянов, НИЦ «Курчатовский институт»
4«Мемристоры на основе переходных металлов для нейроморфных систем»д.ф.-м.н. Олег Алексеевич Новодворский, ИПЛИТ РАН
5«Свойства перколяционных каналов в планарных мемристивных структурах на основе эпитаксиальных пленок оксидных перовскитных соединений YB2C3O7-y и La1-xSrxMnO3-y»Иван Юрьевич Борисенко, ИПТМ РАН
6«Мемристивные структуры на основе флейков селенида висмута»Александр Владимирович Зотов, ИПТМ РАН
7«Генерация серии переключений мемристора методами машинного обучения на основе компактных адаптивных моделей»Евгений Сергеевич Шамин, МФТИ
8«Разработка и исследование комбинированных методов экстракции параметров моделей из вольт-амперных характеристик мемристора»Федор Павлович Мещанинов, НИИМЭ
9«Исследование механизма переноса заряда в бесформовочном мемристоре на основе нитрида кремния​»Федор Павлович Мещанинов, НИИМЭ